型号:

NSS12100M3T5G

RoHS:无铅 / 符合
制造商:ON Semiconductor描述:TRANSISTOR PNP 1A 12V SOT-723
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
NSS12100M3T5G PDF
产品培训模块 Low Vce(sat) BJT Power Savings
产品变化通告 Copper Wire Change 19/May/2010
产品目录绘图 Transistor SOT-723
标准包装 1
系列 -
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 12V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 410mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大) -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 120 @ 500mA,2V
功率 - 最大 460mW
频率 - 转换 -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-723
供应商设备封装 SOT-723
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1562 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 NSS12100M3T5GOSCT
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